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基于GaN的9 kW无并联半桥方案

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... 星河
2018-09-05
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介绍

2018731日,VisIC Technologies公司发布了一款新的水冷V22N65A-HBEVB半桥评估板,用以演示该公司大功率GaN器件的高功率性能。注册商标为All-Switches™(先进的低损耗开关器件)。  VisIC Technologies公司总部位于以色列南部城市Nes ZioNA,是专注于研发基于氮化镓(GaN)半导体高效功率电子器件的革新者。
该评估平台可以在任何半桥拓扑中运行,并且在Buck降压和boost升压拓扑中测试到9kW输出功率,且仅使用单个V22N65A晶体管。这是市场上第一个可以提供高达9kW功率的GaN解决方案,而不需要并联,使得它在混合动力和纯电动汽车中成为高密度车载充电器(OBC)的理想选择。 
V22N65A (All-Switches™) SMD
封装顶部散热器件具有超低导通和开关损耗并采用了先进的隔离封装设计,可以发挥每个GaN器件的最大性能和最大功率输出。
               V22N65A 效率和结温随功率变化曲线
image.png 低寄生电感和便捷的栅极环路设计,结合高阈值电压(5V),允许设计者在多千瓦范围内的高功率应用中安全地使用VisIC GaN开关器件。
The V22N65A-HBEVB
评估平台包括:
半桥功率级采用22mOhm GaN开关All-Switches™;
• 
隔离半桥驱动器采用Silicon labs的(SI82394;
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采用村田的两个隔离辅助电源(NXE251212MC);
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死区时间控制在75纳秒至200纳秒之间;
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采用WurthEngic的高电流(85A)连接器(74655095R)
全合一水冷V22N65 A HBEVB600美元的成本。风扇冷却的版本是500美元的成本。
V22N65A-HBEVB –
采用22mOhm GaN 晶体管的半桥评估板 (风冷版本)

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